แฟลชไดรฟ์ขนาดเท่าเดิมแต่จุได้มากขึ้น

[เอ.อาร์.ไอ.พี, www.arip.co.th] รายงานข่าวล่าสุดแจ้งว่า อินเทล คอร์ป และไมครอน เทคโนโลยี อิงค์ ประกาศแผนการที่จะใช้เทคโนโลยีใหม่ในการผลิตชิปที่ใช้ในหน่วยความจำแฟลชให้สามารถเก็บข้อมูลได้มากขึ้น โดยเทคโนโลยีนี้จะทำให้สามารถเพิ่มความจุได้มากถึง 50% ในขณะที่ขนาดของชิปยังคงเท่าเดิม

ทั้งนี้ อินเทล และไมครอน กล่าวว่า จากความร่วมมือของทั้งสองบริษัททำให้สามารถพัฒนาเทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลที่มีขนาด 3 บิตต่อเซลหน่วยความจำนับล้านที่อยู่ในชิป โดยก่อนหน้านี้จะสามารถเก็บข้อมูลในชิป NAND ได้ 1 หรือ 2 บิตต่อเซลเท่านั้น สำหรับชิปหน่วยความจำแฟลชจะได้รับความนิยมใช้เก็บข้อมูลในอุปกรณ์ต่างๆ มากมาย ไม่ว่าจะเป็น มือถือ, ไอพอด และยูเอสบีไดรฟ์

สำหรับการที่สามารถจัดเก็บข้อมูลได้ 3 บิตต่อเซล (bpc) ด้วยเทคโนโลยี 34nm จะทำให้ความจุสามารถเพิ่มขึ้นจากเดิมได้มากถึง 50% ในขณะที่ขนาดของชิปยังคงเท่าเดิม ซึ่งนอกจากความจุจะเพิ่มขึ้นแล้ว ราคาของหน่วยความจำแฟลชรุ่นใหม่อาจจะถูกลงกว่าเดิมอีกต่างหาก ซึ่งงานนี้คงต้องรอดูกันไป



ทางด้าน SanDisk Corp ผู้ผลิตยูอเสบีไดรฟ์รายใหญ่ ได้มีการพูดถึงชิปทีสามารถจัดเก็บข้อมูลได้ 3 - 4 บิตต่อเซล และจดสิทธิบัตรของเทคโนโลยีไปแล้วก่อนหน้านี้ โดย Eli Harari ซีอีโอของบริษัทได้กล่าวกับนักวิเคราะห์ว่า Micron ไม่ได้สิทธิ์ในการใช้เทคโนโลยีของ SanDisk ในการผลิตชิปหน่วยความจำ ซึ่งน่าจะเป็นเหตุผลหนึ่งที่ทำให้บริษัทหันไปร่วมมือกับอินเทล

ส่วน Kevin Kilbuck ผู้อำนวยการฝ่ายการตลาด NAND ของ Micron กล่าวว่า ทางบริษัทมีความเชี่ยวชาญในเรืองหน่วยความจำมาก โดยเฉพาะความสามารถของบริษัทในการพัฒนาเทคโนโลยี 3 บิตต่อเซลที่เปิดเผยออกมาในครั้งนี้ ทั้งสองบริษัทกล่าวว่า เทคโนโลยีดังกล่าวจะเริ่มผลิตในไตรมาสที่สี่ของปีนี้

Credit : http://www.arip.co.th/news.php?id=409704

Site : www.it4x.com